9月21日下午，中国科学院金属研究所孙东明研究员应邀莅临我校，为理学院师生作题为《集成芯片原子级制造》的专题学术报告。本次报告会由理学院院长玉姣教授主持，理学院师生到场聆听交流。

报告中，孙东明围绕原子级制造这一核心主题，系统介绍后摩尔时代低维半导体器件的发展路径。团队依托MBE分子束外延原子级生长技术，围绕碳基、二维、III‑V族、锗基异质体系开展研究；针对二维材料无悬挂键带来的高质量栅介质制备难题，开发低温原位氧化制备超薄氧化镓介电层方案；针对金属‑半导体接触的费米能级钉扎效应，探索二维插层材料实现接触特性调控。

报告同时展示系列标志性研究成果—突破玻尔兹曼极限的热发射极晶体管、亚纳米单原子层沟道鳍式晶体管阵列、石墨烯‑锗高频垂直晶体管等新型功能器件。此外，孙东明结合自身创业实践，介绍主动式半导体微型控温芯片国产化进展，分享基础科研面向国家重大需求实现成果转化的实践经验，启发师生思考科研与产业的结合路径。

报告互动环节，师生踊跃提问，围绕材料制备、界面调控、器件性能及产业化等问题展开深入研讨，现场学术氛围浓厚。

本次报告立足集成电路前沿，兼顾基础理论、关键技术与产业应用，为理学院师生了解低维材料与原子级芯片制造领域前沿打开窗口，对推动学院学科建设、深化对外学术交流、提升人才培养质量具有重要意义。

来访期间，校长刘坚、副校长刘海峰会见孙东明研究员并开展座谈。孙东明走访辽宁省新型微纳米功能材料研究重点实验室，听取科研团队工作汇报，对学科发展方向、科研平台建设给予指导。理学院党总支书记陈雪峰、院长玉姣陪同参观石油化工产业链实训培训基地。（撰稿人：郭怀红 校对人：玉姣 审稿人：陈雪峰/王浩 摄）